A. YU. MOROZOV, K. K. ABGARYAN, D. L. REVIZNIKOV, А. Ю. МОРОЗОВ, К. К. АБГАРЯН, Д. Л. РЕВИЗНИКОВ, This work was supported by RFBR grant no. 19-29-03051 mk. und Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-29-03051 мк., 2023. Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies ; Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-4. 1 Januar 2023. DOI 10.17073/1609-3577-2022-4-288-297.
Elsevier - Harvard (with titles)A. Yu. Morozov, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, This work was supported by RFBR grant no. 19-29-03051 mk., Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-29-03051 мк., 2023. Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies ; Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-4. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-288-297
American Psychological Association 7th editionA. Yu. Morozov, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, This work was supported by RFBR grant no. 19-29-03051 mk., & Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-29-03051 мк. (2023). Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies ; Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-4. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-288-297
Springer - Basic (author-date)A. Yu. Morozov, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, А. Ю. Морозов, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, This work was supported by RFBR grant no. 19-29-03051 mk., Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-29-03051 мк. (2023) Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies ; Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-4. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2022-4-288-297
Juristische Zitierweise (Stüber) (Deutsch)A. Yu. Morozov/ K. K. Abgaryan/ D. L. Reviznikov/ А. Ю. Морозов/ К. К. Абгарян/ Д. Л. Ревизников/ This work was supported by RFBR grant no. 19-29-03051 mk./ Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 19-29-03051 мк., Simulation modeling of an analog impulse neural network based on a memristor crossbar using parallel computing technologies ; Имитационное моделирование аналоговой импульсной нейронной сети на основе мемристорного кроссбара с использованием параллельных вычислительных технологи, Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники; Том 25, № 4 (2022); 288-297 ; 2413-6387 ; 1609-3577 ; 10.17073/1609-3577-2022-4 2023.